收藏本站
PRODUCT: TVB300SB-L
308 Constitution Drive
Menlo Park, CA 94025-1164
Phone: 800-227-4856
www.circuitprotection.com
SiBar?
Thyristor Surge Protectors
Raychem Circuit Protection Products
DOCUMENT: SCD 25603
PCN: E05012
REV LETTER: C
REV DATE: APRIL 28, 2007
PAGE NO.: 2 OF 2
DEVICE RATINGS @ 25o C (Both Polarities)
Parameter
Repetitive Off-State Voltage, Maximum at ID = 5 μA
Non-Repetitive Peak Telcordia GR-1089 CORE 10x1000 μs
Impulse Current TIA-968 lightning Type A Metallic 10/560 μs
Double exponential TIA-968 lightning Type A Longit. 10/160 μs
Symbol
VDM
IPP 1
IPP 2
IPP 3
Value
300
80
100
150
Units
V
A
A
A
Waveform
Telcordia GR-1089 Intrabuilding 2/10 μs
IPP 4
250
A
(Notes 1 and 2) IEC61000-4-5 (Voc 1.2/50us) 8/20 μs
ITU-T K.20/K.21 (Voc 10/700us) 5/310 μs
TIA-968 lightning Type B (Voc 9/720us) 5/320 μs
IPP 5
IPP 6
IPP 7
250
100
100
A
A
A
Critical Rate of Rise of On-State Current
Powered Pulse Amplifier, C=30μF, V=600V
Maximum 2x10 μsec waveform, V OC =1.25kV, I SC =250A peak
di/dt
di/dt
500
170
A/μs
A/μs
DEVICE THERMAL RATINGS
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Blocking or conducting state
Overload Junction Temperature
Maximum; Conducting state only
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose; for 10 seconds
TSTG
TA
TJ
TL
-55 to 150
-40 to 125
+150
+260
oC
oC
oC
oC
E LECTRICAL          CHARACTERISTICS Both polarities (T J @ 25o C unless otherwise noted)
Characteristics Symbol Min
Typ
Max
Units
Breakover Voltage (+25°C)
VBO
----
350
400
V
(dv/dt = 0.4kV/μs, Isc=900mA, Vdc = 500V (both polarities))
Breakover Voltage Temperature Coefficient
dVBO/dTJ
----
0.1
-----
%/oC
Off-State Current
On-State Voltage
(PW ≤ 300 μsec, Duty Cycle ≤ 2% (Note 2))
Breakover Current
Holding Current (Note 2)
(VD1=50V)
(VD2=VDM)
(IT=1A)
ID1
ID2=IDM
VT
IBO
IH
----
----
----
----
150
-----
-----
-----
-----
-----
2.0
5.0
4.0
800
----
μA
μA
V
mA
mA
Peak Onstage Surge Current
(Measured @ 60Hz, 1 cycle, 600V)
ITSM
30
A
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
(Linear waveform, V D = 0.8 X Rated V BO, T J = +25oC)
Capacitance (f=1.0 Mhz, 50V DC bias, 1Vrms)
(f=1.0 Mhz, 2V DC bias, 1Vrms)
dv/dt
C1
C2
2000
----
----
----
21
42
----
----
V/μs
pF
pF
Note 1. Allow cooling before testing second polarity
Note 2. Measured under pulse conditions to reduce heating
VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTIC
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
TVB300SC-L SURGE PROTECTOR 300V DO-214AA
TWR-AUDIO-SGTL TOWER SYSTEM KIT AUDIO
TWR-LCD LCD MODULE FOR TWR SYSTEM
TWR-MC-LV3PH KIT TOWER SYST 3PH MOTR CTRL MOD
TWR-MEM MEMORY MODULE FOR TWR SYSTEM
TWR-PROTO TOWER SYSTEM PROTO
TWR-SER2 TOWER SYSTEM INTERFACE BOARD
TWR-SER TOWER SERIAL I/O HARDWARE
相关代理商/技术参数
TVB300SC 功能描述:硅对称二端开关元件 SiBar Thyristor 300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB300SC-L 功能描述:硅对称二端开关元件 SiBar Thyristor 300V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB320NSA-L 功能描述:硅对称二端开关元件 320V 150mA SiBar Thyristor TSPD RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB320NSB-L 功能描述:硅对称二端开关元件 320V 150mA SiBar Thyristor TSPD RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB320NSC-L 功能描述:硅对称二端开关元件 320V 150mA SiBar Thyristor TSPD RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB330-050 功能描述:硅对称二端开关元件 330V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TVB330-050-02 制造商:TE Connectivity 功能描述:
TVB360RSC-L 功能描述:硅对称二端开关元件 SiBar 360V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA